RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
71
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2974
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link