RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
71
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
9.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2327
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link