RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
73
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
7.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
1727
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link