RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gesamtnote
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
56
71
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,322.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
71
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,831.6
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,322.6
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
399
2235
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link