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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
96
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
96
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
5.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
992
1420
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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