RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
96
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
4.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
96
48
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
10600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
992
1420
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link