RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
80
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
80
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1775
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link