RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
40
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1806
2163
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link