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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
40
Rund um -5% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1806
2163
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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