RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
66
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
3851
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link