RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3851
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link