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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

总分
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Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB

差异 规格 评论

差异

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 32
    左右 16% 更低的延时
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB 需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.6 left arrow 16.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.8 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 18.6
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 15.8
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2756 left arrow 3851

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Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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