Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Unterschiede

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 38
    Rund um -15% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.1 left arrow 14.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.0 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    38 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 16.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 13.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2451 left arrow 2987
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RAM 1
RAM 2

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