RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
OCZ OCZ2V8002G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
46
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,823.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,789.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,823.3
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
799
2374
OCZ OCZ2V8002G 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link