RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
OCZ OCZ2V8002G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,823.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,789.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
1,823.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
799
2374
OCZ OCZ2V8002G 2GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link