RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2858
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link