RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
35
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2312
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link