RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
35
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2414
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link