RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2414
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link