RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
36
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2466
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link