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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2466
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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