RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
2449
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link