RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
2449
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link