RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
35
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3411
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link