RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
13.7
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2312
3411
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link