RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
35
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2312
3444
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link