RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
46
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2660
2974
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link