RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
41
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2062
3542
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link