RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2356
3035
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link