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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
41
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
33
Velocità di lettura, GB/s
14.0
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2356
3035
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) MPPU4GB13338C
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AMD R744G2606U1S 4GB
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