RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
66
87
Intorno -32% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
66
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1934
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link