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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
87
左右 -32% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
66
读取速度,GB/s
3,155.6
16.5
写入速度,GB/s
870.4
9.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1934
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
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