RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
126
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
126
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
6.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
1108
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link