RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
39
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
2533
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link