RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
3040
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link