RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs INTENSO 4GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
INTENSO 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
39
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
9.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
2061
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
INTENSO 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link