RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs INTENSO 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2061
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
INTENSO 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link