RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Vergleichen Sie
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gesamtnote
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
51
Rund um 24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,597.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,022.9
10.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,597.0
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
753
2359
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM-Vergleiche
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link