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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
63
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
5.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.0
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1274
2281
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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