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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Gesamtnote
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2270
3268
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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