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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
27
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
2191
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
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