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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3474
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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