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PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
17.6
写入速度,GB/s
8.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3474
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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