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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
76
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
1718
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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