RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
76
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
76
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
1718
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link