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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
31
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3072
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
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