RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3367
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link