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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3247
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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