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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Vergleichen Sie
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Gesamtnote
PNY Electronics PNY 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
PNY Electronics PNY 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2274
3247
PNY Electronics PNY 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Mushkin 991586 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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