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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
18.3
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3247
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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