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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
12.1
16.8
写入速度,GB/s
8.6
13.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3009
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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